GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范
作者:标准资料网 时间:2024-05-12 13:29:24 浏览:9366
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基本信息
| 标准名称： | 硅双栅场效应晶体管空白详细规范 |
| 英文名称： | Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 场效应器件 |
| ICS分类： | 电子学 >> 半导体器件 >> 其他半导体器件 |
| 替代情况： | 作废; |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1995-01-05 |
| 实施日期： | 1995-08-01 |
| 首发日期： | 1995-01-05 |
| 作废日期： | 2005-10-14 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 上海无线电十四厂 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：16， 字数：25千字 |
适用范围
本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，GB 12560《半导体器件分立器件分规范》
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 场效应器件 电子学 半导体器件 其他半导体器件
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